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      產品名稱
      氮化硅陶瓷基板

      產品簡介
      基于陶瓷材料技術所開發的氮化硅制品具有高強度,高韌性,高導熱率,根據這些特性,產品被廣泛用于要求擁有高信賴性材料的功率半導體基板領域。

      產品詢盤       咨詢熱線: 0577-67000303

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      產品詳情


      • 基于陶瓷材料技術所開發的氮化硅制品具有高強度,高韌性,高導熱率,根據這些特性,產品被廣泛用于要求擁有高信賴性材料的功率半導體基板領域。
      • 和氧化鋁基板或氮化鋁基板相比,約有兩倍以上的抗彎強度。
      • 和氧化鋁基板或ZTA基板相比、擁有三倍以上的熱導率。
      • 高電絕緣性
      • 熱膨脹系數與硅相近


       

      氮化硅基板尺寸

      主要項目

      規格

      指標

      基板尺寸mm

      100*100,114.3*114.3 ,138*190.5

      ±0.1mm

      基板厚度

      0.254,0.32,0.5,0635,1.0

      ±0.02mm

       

      氮化硅產品性能:

      主要項目

      ltem

      單位

      Unit

      指標

      Test Standard

      顏色

      Colour

      s……

      灰色

      密度

      Density

      G/cm3

      3.22

      熱導率

      Thermal conductivity

      25 W/(m.k)

      8085

      介電常數

      Dielectric constant

      1 MHz

      810

      擊穿強度
      Dreakdown strength

      Kv/mm

      15

      抗折強度

      Flexural  Strength

      Mpa

      800

      維氏硬度

      Vickers hardness

      Gpa

      15

      翹曲度

      warpage

      (長邊)

      2

      表面粗糙度

      Surface roughness

      um

      0.20.4

      熱彭脹系數

      Coefficient of thermal expansion 

      10-6

      20300

      2.7

      300800

      3.2

      體積電阻率
      Volume resistivity

      20.ù.cm

      1014

      基板材料特性



      IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)

      以新能源發電和工業驅動為代表的大功率應用需要可靠、可擴展、大功率密度、低雜散電感功率模塊。為了滿足這些需求,已經被認可并取得成功的HVIGBT LV100封裝被引入工業領域應用。










      IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)


      以新能源發電和工業驅動為代表的大功率應用需要可靠、可擴展、大功率密度、低雜散電感功率模塊。為了滿足這些需求,已經被認可并取得成功的HVIGBT LV100封裝被引入工業領域應用。


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